球王会app尾页场效应管场效应MOS管参数场效应MOS管参数产物简介PD最大年夜耗散功率:40WID最大年夜漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击脱电压:(ON)Ω内阻:1.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压k3567场球王会app效应管参数(k3570场效应管参数)K3667场效应管可用代换。⑴场效应晶体管(缩写(FET简称场效应管。要松有两品种型(—JFET)战金属-氧化物半导体
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